Отрывок: 3596 3.0730;10.053 3.0810;15.12 Плотность, (г/см³) 3.21 3.21 3.21 Ширина запрещенной зоны, (эВ) 2.36 3.23 3.05 Модуль объёмного сжатия, (ГПа) 250 220 220 Теплопроводность, (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9 Таким образом SiC имеет трёхслойную структуру, состоящую из слоёв: А, B, С ( имеют различную кристаллическую упаковку в пределах слоя). Период повторения последовательности их может изменяться от десятков ангстрем до нескольких десятков нанометров, что обеспечивает ф...
Название : | Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры |
Авторы/Редакторы : | Сороков А. С. Чепурнов В. И. Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) |
Дата публикации : | 2016 |
Библиографическое описание : | Сороков, А. С. Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. С. Сороков ; рук. работы В. И. Чепурнов ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-line |
Аннотация : | Выпускная квалификационная работа включает в себя реферат, содержание, введение, основную и практическую части, заключение и список литературы и приложение. Работа содержит 24 рисунка и 2 таблицы. В выпускной квалификационной работе представлено исследова |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117114556 |
Ключевые слова: | омические контакты отжиг контактов тензометрические характеристики тензопреобразователи термокомпрессия карбид кремния контактные металлизации полупроводниковых подложек полупроводниковые гетероструктуры полупроводниковые подложки датчики информации гетероструктуры SiC/Si металлические тензодатчики |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Сороков_Алексей_Сергеевич_Тензопреобразователь_основе_полупроводниковой.pdf | 1.65 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.