Отрывок: 3596 3.0730;10.053 3.0810;15.12 Плотность, (г/см³) 3.21 3.21 3.21 Ширина запрещенной зоны, (эВ) 2.36 3.23 3.05 Модуль объёмного сжатия, (ГПа) 250 220 220 Теплопроводность, (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9 Таким образом SiC имеет трёхслойную структуру, состоящую из слоёв: А, B, С ( имеют различную кристаллическую упаковку в пределах слоя). Период повторения последовательности их может изменяться от десятков ангстрем до нескольких десятков нанометров, что обеспечивает ф...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Сороков А. С. | ru |
dc.contributor.author | Чепурнов В. И. | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | омические контакты | ru |
dc.coverage.spatial | отжиг контактов | ru |
dc.coverage.spatial | тензометрические характеристики | ru |
dc.coverage.spatial | тензопреобразователи | ru |
dc.coverage.spatial | термокомпрессия | ru |
dc.coverage.spatial | карбид кремния | ru |
dc.coverage.spatial | контактные металлизации полупроводниковых подложек | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые гетероструктуры | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые подложки | ru |
dc.coverage.spatial | датчики информации | ru |
dc.coverage.spatial | гетероструктуры SiC/Si | ru |
dc.coverage.spatial | металлические тензодатчики | ru |
dc.creator | Сороков А. С. | ru |
dc.date.issued | 2016 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20161117114556 | ru |
dc.identifier.citation | Сороков, А. С. Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры : вып. квалификац. работа по спец. "Физика" / А. С. Сороков ; рук. работы В. И. Чепурнов ; Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Физич. фак-т, Каф. радиофизика, полупроводник. микро- и наноэлектроники. - Самара, 2016. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Выпускная квалификационная работа включает в себя реферат, содержание, введение, основную и практическую части, заключение и список литературы и приложение. Работа содержит 24 рисунка и 2 таблицы. В выпускной квалификационной работе представлено исследова | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб) | ru |
dc.title | Тензопреобразователь на основе полупроводниковой гетероструктуры | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33 | ru |
dc.subject.udc | 537.311 | ru |
dc.textpart | 3596 3.0730;10.053 3.0810;15.12 Плотность, (г/см³) 3.21 3.21 3.21 Ширина запрещенной зоны, (эВ) 2.36 3.23 3.05 Модуль объёмного сжатия, (ГПа) 250 220 220 Теплопроводность, (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9 Таким образом SiC имеет трёхслойную структуру, состоящую из слоёв: А, B, С ( имеют различную кристаллическую упаковку в пределах слоя). Период повторения последовательности их может изменяться от десятков ангстрем до нескольких десятков нанометров, что обеспечивает ф... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Сороков_Алексей_Сергеевич_Тензопреобразователь_основе_полупроводниковой.pdf | 1.65 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.