Отрывок: Всякое изменение однородности протекания этого процесса приводит к нарушению однородности смачиваемости жидкости с поверхностью подложки. Это явление было использовано в настоящей работе для фиксации 158 степени загрязнения поверхности подложек, применяемых в производстве интегральных микросхем (ИМС). Приведено уравнение, устанавливающее аналитическую связь между параметрами фотоэлемента и скоростью установления энергетических связей между поверхностью...
Название : Моделирование растекания ньютоновской капли по поверхности диэлектрической подложки
Авторы/Редакторы : Подлипнов В. В.
Колпаков А. И.
Дата публикации : 2009
Библиографическое описание : Подлипнов, В. В. Моделирование растекания ньютоновской капли по поверхности диэлектрической подложки / В. В. Подлипнов, А. И. Колпаков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - [Ч. 1]. - С. 158-159.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Modelirovanie-rastekaniya-nutonovskoi-kapli-po-poverhnosti-dielektricheskoi-podlozhki-110717
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\559370
Ключевые слова: диэлектрические подложки
измерение чистоты поверхности
концентрация органических загрязнений
механизм растекания
ньютоновские жидкости
производство интегральных микросхем
скорость растекания капли
степень загрязнения поверхности
угол смачивания
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-0672-8_2009-158-159.pdf95.12 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.