Отрывок: Всякое изменение однородности протекания этого процесса приводит к нарушению однородности смачиваемости жидкости с поверхностью подложки. Это явление было использовано в настоящей работе для фиксации 158 степени загрязнения поверхности подложек, применяемых в производстве интегральных микросхем (ИМС). Приведено уравнение, устанавливающее аналитическую связь между параметрами фотоэлемента и скоростью установления энергетических связей между поверхностью...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПодлипнов В. В.ru
dc.contributor.authorКолпаков А. И.ru
dc.coverage.spatialдиэлектрические подложкиru
dc.coverage.spatialизмерение чистоты поверхностиru
dc.coverage.spatialконцентрация органических загрязненийru
dc.coverage.spatialмеханизм растеканияru
dc.coverage.spatialньютоновские жидкостиru
dc.coverage.spatialпроизводство интегральных микросхемru
dc.coverage.spatialскорость растекания каплиru
dc.coverage.spatialстепень загрязнения поверхностиru
dc.coverage.spatialугол смачиванияru
dc.creatorПодлипнов В. В., Колпаков А. И.ru
dc.date.accessioned2024-09-03 11:14:06-
dc.date.available2024-09-03 11:14:06-
dc.date.issued2009ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\559370ru
dc.identifier.citationПодлипнов, В. В. Моделирование растекания ньютоновской капли по поверхности диэлектрической подложки / В. В. Подлипнов, А. И. Колпаков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - [Ч. 1]. - С. 158-159.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Modelirovanie-rastekaniya-nutonovskoi-kapli-po-poverhnosti-dielektricheskoi-podlozhki-110717-
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. - Текст : электронныйru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций. - [Ч. 1]ru
dc.titleМоделирование растекания ньютоновской капли по поверхности диэлектрической подложкиru
dc.typeTextru
dc.citation.epage159ru
dc.citation.spage158ru
dc.textpartВсякое изменение однородности протекания этого процесса приводит к нарушению однородности смачиваемости жидкости с поверхностью подложки. Это явление было использовано в настоящей работе для фиксации 158 степени загрязнения поверхности подложек, применяемых в производстве интегральных микросхем (ИМС). Приведено уравнение, устанавливающее аналитическую связь между параметрами фотоэлемента и скоростью установления энергетических связей между поверхностью...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-0672-8_2009-158-159.pdf95.12 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.