Отрывок: Решением этих задач является изучение используемых электрофизических эффектов на микроскопическом уровне, определяющем всё многообразие форм существования этого эффекта, одну из разновидностей которого предлагается использовать для электрофизического диагностирования приборов. Обнаружена корреляция параметров динамической электромагнитной неустойчивости в биполярном транзист...
Название : Исследование механизма неустойчивости в биполярных структурах
Авторы/Редакторы : Чернобровин Н. Г.
Дата публикации : 2009
Библиографическое описание : Чернобровин, Н. Г. Исследование механизма неустойчивости в биполярных структурах / Н. Г. Чернобровин // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - [Ч. 1]. - С. 164-165.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Issledovanie-mehanizma-neustoichivosti-v-bipolyarnyh-strukturah-110724
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\559377
Ключевые слова: биполярные структуры
динамическая электромагнитная неустойчивость
критерии оценки качества
полупроводниковые приборы
транзисторы
физико-математические модели
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-0672-8_2009-164-165.pdf95.06 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.