Отрывок: Снимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины показаны на рисунке 16. 30 Рисунок 16– РЭМ-снимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины: а) область стыка пирамидок; б) зеркальный поперечный скол пластины. Параметры фотоэлектрических преобразователей, выполненных на основе различных структур, включая структуры с пористым кремнием приведены в табли...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Танеев В. В. | ru |
dc.contributor.author | Щербак А. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки России | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Естественнонаучный институт | ru |
dc.coverage.spatial | солнечные элементы | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые структуры | ru |
dc.coverage.spatial | пористый слой | ru |
dc.coverage.spatial | карбидизация поверхности пористого кремния | ru |
dc.coverage.spatial | фотоэлектрические преобразователи | ru |
dc.coverage.spatial | фотоэлектрические процессы | ru |
dc.coverage.spatial | гетероструктуры карбид кремния | ru |
dc.creator | Танеев В. В. | ru |
dc.date.issued | 2020 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20201127154653 | ru |
dc.identifier.citation | Танеев, В. В. Модель фотоэлектрического преобразователя на основе гетероструктуры карбид кремния на кремнии с пористым слоем карбида кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.04.02 "Физика" (уровень магистратуры) / В. В. Танеев ; рук. работы А. В. Щербак ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики тверд. тела и неравновес. систем. - Самара, 2020. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования являются фотоэлектрическиепреобразователи с пористым слоем.Предметом исследования является эффективность фотоэлектрическихпреобразователей.Цель данной работы: определение влияния слоя пористого карбидакремния на эффективность преобразователей солнечной энергии.В первой главе рассмотрены основные процессы преобразованияэнергии оптического (солнечного) излучения в полупроводниковыхфотоэлектрических преобразователях. Рассмотрены модели физическихявлений, связанных с потерями энергии в фотоэлектрическихпреобразователях.Во второй главе рассмотрены способы получения структур карбидакремния на пористом кремнии для фотоэлектрических преобразователей.Предложен способ получения фотоэлектрического преобразователя спористым слоем карбида кремния на поверхности.В третьей главе представлены результаты экспериментальныхисследований образцов фотопреобразователей с пористым слоем карбидакремния. Определена эффективность исследуемых фотопреобразователей.Результаты данной работы могут быт | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 2,3 Мб) | ru |
dc.title | Модель фотоэлектрического преобразователя на основе гетероструктуры карбид кремния на кремнии с пористым слоем карбида кремния | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 44.41.35 | ru |
dc.subject.udc | 621.383 | ru |
dc.textpart | Снимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины показаны на рисунке 16. 30 Рисунок 16– РЭМ-снимки пористого слоя, созданного на текстурированной поверхности кремниевой пластины: а) область стыка пирамидок; б) зеркальный поперечный скол пластины. Параметры фотоэлектрических преобразователей, выполненных на основе различных структур, включая структуры с пористым кремнием приведены в табли... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Танеев_Вадим_Витальевич_Модель_фотоэлектрического_преобразователя.pdf | 2.33 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.