Отрывок: величина тока, который протекает через p-n-переход (то есть через диод) зависит от приложенного к нему напряжения V´ согласно следующему выражению: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1) (8) Подставляя выражение () в (), получим: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0 �𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1� = 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞(𝑉𝑉−𝐼𝐼𝑅𝑅п)/𝐴𝐴𝑛𝑛𝑛𝑛 − 1) (9) Величину тока, протекающего через элемент Rш, можно получить воспользовавшись законом Ома и выражением (): 𝐼𝐼ш = 𝑉𝑉`𝑅𝑅ш = 𝑉𝑉−𝐼...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Шишканов А. А. | ru |
dc.contributor.author | Карпеев С. В. | ru |
dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | MATLAB/SIMULINK | ru |
dc.coverage.spatial | вольтамперные характеристики | ru |
dc.coverage.spatial | наноструктуры кремния | ru |
dc.coverage.spatial | солнечные модули | ru |
dc.coverage.spatial | солнечные элементы | ru |
dc.coverage.spatial | фотоэлектрические характеристики | ru |
dc.creator | Шишканов А. А. | ru |
dc.date.issued | 2021 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914154831 | ru |
dc.identifier.citation | Шишканов, А. А. Исследование фотоэлектрических характеристик солнечного элемента с наноструктурами кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. А. Шишканов ; рук. работы С. В. Карпеев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2021. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования являются солнечные элементы снаноструктурами кремния.Целью работы является разработка модели для исследованияфотоэлектрических характеристик солнечного элемента с пористымкремнием.В результате работы были изучены различные модели и методымоделирования солнечного элемента, построены графики воль-амперной ивольт-ватной характеристики.Результаты данной дипломной работы могут быть использованы дляизучения деградации солнечных элементов в космосе. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 0,0 Мб) | ru |
dc.title | Исследование фотоэлектрических характеристик солнечного элемента с наноструктурами кремния | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 29.29 | ru |
dc.subject.udc | 539.1 | ru |
dc.textpart | величина тока, который протекает через p-n-переход (то есть через диод) зависит от приложенного к нему напряжения V´ согласно следующему выражению: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1) (8) Подставляя выражение () в (), получим: 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0 �𝑒𝑒𝑞𝑞𝑉𝑉` 𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴𝐴� − 1� = 𝐼𝐼д = 𝐼𝐼0(𝑒𝑒𝑞𝑞(𝑉𝑉−𝐼𝐼𝑅𝑅п)/𝐴𝐴𝑛𝑛𝑛𝑛 − 1) (9) Величину тока, протекающего через элемент Rш, можно получить воспользовавшись законом Ома и выражением (): 𝐼𝐼ш = 𝑉𝑉`𝑅𝑅ш = 𝑉𝑉−𝐼... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Шишканов_Андрей_Александрович_Исследование_фотоэлектрических_характеристик_солнечного.pdf | 1.01 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.