Отрывок: Этот механизм позволяет добиться увеличения селективности плазмохимического травления [10]. Анизотропия плазмохимического травления зависит от совокупности технологических факторов и может изменяться в значительных пределах. Основным фактором, влияющим на анизотропию ПХТ, является ионная бомбардировка. Ионы движутся перпендикулярно подложке и преимущественно воздействуют на дно структуры, их воздействие на боковые стенки минимально. Ионы...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Шурупова А. С. | ru |
dc.contributor.author | Володкин Б. О. | ru |
dc.contributor.author | Братченко И. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | индуктивно-связанная плазма | ru |
dc.coverage.spatial | подбор параметров | ru |
dc.coverage.spatial | анизотропное плазмохимическое травление | ru |
dc.coverage.spatial | BOSCH процессы | ru |
dc.creator | Шурупова А. С. | ru |
dc.date.issued | 2017 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20171214160804 | ru |
dc.identifier.citation | Шурупова, А. С. Глубокое анизотропное плазмохимическое травление кремниевой подложки : вып. квалификац. работа по спец. "Электроника и наноэлектроника" / А. С. Шурупова ; рук. работы Б. О. Володкин; рец. И. А. Братченко ; М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и э. - Самара, 2017. - on-line | ru |
dc.description.abstract | В данной работе разбираются вопросы, связанные с методамианизотропного плазмохимического травления.Цель работы – разработка методов глубокого анизотропного травлениякремния.Задачи:1) Провести анализ существующих методов глубокого анизотропноготравления кремния.2) Разработать метод глубокого анизотропного травления кремния спомощью плазмохимического травления в газах C4F8 / SF6.3) Оптимизация параметров плазмохимического травления кремниядля получения необходимых параметров процесса: скорости травления,вертикальности стенок и латерального разрешения. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 2,4 Мб) | ru |
dc.title | Глубокое анизотропное плазмохимическое травление кремниевой подложки | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.59.49 | ru |
dc.subject.udc | 621.382 | ru |
dc.textpart | Этот механизм позволяет добиться увеличения селективности плазмохимического травления [10]. Анизотропия плазмохимического травления зависит от совокупности технологических факторов и может изменяться в значительных пределах. Основным фактором, влияющим на анизотропию ПХТ, является ионная бомбардировка. Ионы движутся перпендикулярно подложке и преимущественно воздействуют на дно структуры, их воздействие на боковые стенки минимально. Ионы... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Шурупова_Александра_Сергеевна_Глубокое_анизатропное_плазмохическое_травление.pdf | 2.43 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.