Отрывок: Для более глубоких слоев отклонение от объемного значения межслоевого расстояния затухает с глубиной (часто осцилляторно). В дополнение к нормальной релаксации иногда имеет место однородное смещение верхнего слоя параллельно поверхности. В этом случае говорят о параллельной илп тангенциальной релаксации (рис. 15. б}. Она наблюдается в основном на высокоиндексных плоскостях с низкой концентрацией атомов. Рис. 15. Схематическая иллюстра...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Волков А. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство образования и науки России | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (национальный исследовательский университет) | ru |
dc.coverage.spatial | нанотехнологии | ru |
dc.coverage.spatial | микротехнологии | ru |
dc.coverage.spatial | аппаратные средства | ru |
dc.date.issued | 2012 | ru |
dc.identifier | RU/НТБ СГАУ/WALL/004/А 769-734050 | ru |
dc.identifier.citation | Аппаратные средства микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE / Минобрнауки России, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [авт.-сост. А. В. Волков]. - Самара, 2012. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Система дистанционного обучения. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СГАУ(электрон. версия). | ru |
dc.format.extent | Электрон. текстовые и граф. дан. | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Аппаратные средства микро- и нанотехнологий [Электронный ресурс] : науч.-образоват. модуль в системе дистанц. обучения MOODLE | ru |
dc.title | Аппаратные средства микро- и нанотехнологий | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 50.01 | ru |
dc.subject.udc | 004.9(075) | ru |
dc.textpart | Для более глубоких слоев отклонение от объемного значения межслоевого расстояния затухает с глубиной (часто осцилляторно). В дополнение к нормальной релаксации иногда имеет место однородное смещение верхнего слоя параллельно поверхности. В этом случае говорят о параллельной илп тангенциальной релаксации (рис. 15. б}. Она наблюдается в основном на высокоиндексных плоскостях с низкой концентрацией атомов. Рис. 15. Схематическая иллюстра... | - |
Располагается в коллекциях: | Учебные издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Волков А. В. Аппаратные средства.pdf | 1.54 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.