Отрывок: Результаты нашего экспери­ мента указывает на то, что ответственными за изменение зарядового со­ стояния структур в процессе электроформовки являются основные носите­ ли из инверсионного канала на поверхности кремния. В связи с этим в ра­ боте экспериментально наблюдается тенденция роста положительного эф­ фективного заряда для структур с подложкой и-типа проводимости, и от­ ри...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorАфанасков В.ru
dc.contributor.authorШалимова М. Б.ru
dc.coverage.spatialМОП-структурыru
dc.coverage.spatialдиэлектрики и полупроводникиru
dc.creatorАфанасков В.ru
dc.date.issued2011ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\445301ru
dc.identifier.citationАфанасков, В. Механизмы деградации электрофизических характеристик МОП - структур / В. Афанасков ; научный руководитель М. Б. Шалимова // Сорок вторая (XLII) научная конференция студентов : 4-9 апр. 2011 г., Самара, Россия : тез. докл. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. ун-т. - Самара : Изд-во "Самар. ун-т", 2011Ч. 1: / [отв. за вып. Н. С. Комарова, Л. А. Свистунова]. - 2011. - С. 55.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofСорок вторая (XLII) научная конференция студентов : 4-9 апр. 2011 г., Самара, Россия : тез. докл. - Текст : электронныйru
dc.sourceСорок вторая (XLII) научная конференция студентов. - Ч. 1ru
dc.titleМеханизмы деградации электрофизических характеристик МОП - структурru
dc.typeTextru
dc.citation.spage55ru
dc.textpartРезультаты нашего экспери­ мента указывает на то, что ответственными за изменение зарядового со­ стояния структур в процессе электроформовки являются основные носите­ ли из инверсионного канала на поверхности кремния. В связи с этим в ра­ боте экспериментально наблюдается тенденция роста положительного эф­ фективного заряда для структур с подложкой и-типа проводимости, и от­ ри...-
Располагается в коллекциях: Сорок вторая (XLII) научная конференция студентов

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
XLII Научная конференция-55.pdf698.72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.