Отрывок: > 1 в Чу 0ОЛ гл г Рис. 3. Конструкции миниатюрного полупроводникового ТР На рис. 3 изображены примеры конструкций миниатюрных по­ лупроводниковых ТР. В конструкции а чувствительный элемент 1 ("бусинка") снабжен выводами 3 из проволоки низкой теплопровод­ ности и покрыт защитным слоем стекла 2. Конструкция б имеет ана­ логичный чувствительный элемент (ЧЭ) и защитный слой в зоне "бу­ синки", но отличается тем, что и выводы ТР имеют защитный слой....
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorВоронов К. Е.ru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialлабораторные макетыru
dc.coverage.spatialреперные точкиru
dc.coverage.spatialP-n переход полупроводниковых элементовru
dc.coverage.spatialметрологические характеристикиru
dc.coverage.spatialбиомедицинская техникаru
dc.coverage.spatialпогрешности измерения температурыru
dc.coverage.spatialдатчики температурыru
dc.coverage.spatialсхемы формирования сигналаru
dc.coverage.spatialтермисторыru
dc.coverage.spatialтермопарные датчики температурыru
dc.coverage.spatialтермопарыru
dc.coverage.spatialтерморезисторыru
dc.date.issued2006ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:5/И 889-575886ru
dc.identifier.citationИсследование датчиков температуры [Электронный ресурс] : метод. указания к лаб. работе / Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. К. Е. Воронов. - Самара, 2006. - on-lineru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия)ru
dc.description.abstractИзложены основные теоретические сведения об областях применения датчиков температуры в биомедицинской технике, рассмотрены метрологические характеристики и конструкции терморезисторов, термисторов, термопарных датчиков температуры, схемы формирования сигнru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobatru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 8,02 Мбайт)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование датчиков температуры [Текст] : метод. указания к лаб. работеru
dc.titleИсследование датчиков температурыru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti50.09.37ru
dc.subject.udc536.5(075)ru
dc.subject.udcСГАУ:5(075)ru
dc.textpart> 1 в Чу 0ОЛ гл г Рис. 3. Конструкции миниатюрного полупроводникового ТР На рис. 3 изображены примеры конструкций миниатюрных по­ лупроводниковых ТР. В конструкции а чувствительный элемент 1 ("бусинка") снабжен выводами 3 из проволоки низкой теплопровод­ ности и покрыт защитным слоем стекла 2. Конструкция б имеет ана­ логичный чувствительный элемент (ЧЭ) и защитный слой в зоне "бу­ синки", но отличается тем, что и выводы ТР имеют защитный слой....-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Воронов К.Е. Исследование датчиков температуры.pdffrom 1C8.22 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.