Отрывок: У них один или оба слоя (обкладки) выполнены в процессе диффузии, поэтому их называют диффузионными. На рис. 10,б показана структура МОП-конденсатора. Ниж- ней обкладкой служит эмиттерный n+-слой. Основные параметры полупро- водниковых конденсаторов приведены в табл. 2. Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. Таблица ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorВолков А. В.ru
dc.contributor.authorМеркулов А. И.ru
dc.contributor.authorФедеральное агентство по образованиюru
dc.contributor.authorСамарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева (Национальный исследовательский университет)ru
dc.coverage.spatialрезисторыru
dc.coverage.spatialбиполярные транзисторыru
dc.coverage.spatialбиполярные полупроводниковые микросхемыru
dc.coverage.spatialконденсаторыru
dc.coverage.spatialметоды изоляции элементовru
dc.coverage.spatialполупроводниковые микросхемыru
dc.coverage.spatialдиодыru
dc.date.issued2010ru
dc.identifierRU/НТБ СГАУ/WALL/СГАУ:6/А 64-274631ru
dc.identifier.citationАнализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [Электронный ресурс] : [метод. указания] / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (Нац. исслед. ун-т) ; [сост. М. Н. Пиганов и др.]. - Самара : [Изд-во СГАУ], 2010. - on-lineru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobatru
dc.description.abstractТруды сотрудников СГАУ (электрон. версия)ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 460 Кбайт)ru
dc.language.isorusru
dc.publisher[Изд-во СГАУ]ru
dc.relation.isformatofАнализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем [Текст] : [метод. указания]ru
dc.titleАнализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33.31ru
dc.subject.udc621.382.049.77(075)ru
dc.subject.udcСГАУ:6(075)ru
dc.textpartУ них один или оба слоя (обкладки) выполнены в процессе диффузии, поэтому их называют диффузионными. На рис. 10,б показана структура МОП-конденсатора. Ниж- ней обкладкой служит эмиттерный n+-слой. Основные параметры полупро- водниковых конденсаторов приведены в табл. 2. Преимуществом МОП-конденсаторов является то, что они работают при любой полярности напряжения. Недостатком является то, что они, как и диффузионные, являются нелинейными. Таблица ...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
Пиганов М.Н. Анализ конструкций.pdffrom 1C460.96 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.