Отрывок: Отсюда можно заключить, что эффективная масса электрона в зоне проводимости различна для различных полупроводниковых материалов, и, следовательно, при про чих равных условиях, подвижности в них также будут различаться. Необхо димо отметить, что соотношение (7) получено без учёта распределения электронов по скоростям, поэтому его нельзя считать достаточно точным для вычисления. Более точное значение дрейфовой подвижности р,, необхо димо рассматривать с учетом статистического хар...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Колпаков В. А. | ru |
dc.contributor.author | Колпаков А. И. | ru |
dc.contributor.author | Федеральное агентство по образованию | ru |
dc.contributor.author | Самарский государственный аэрокосмический университет им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | диффузионный ток | ru |
dc.coverage.spatial | донорная примесь | ru |
dc.coverage.spatial | дрейфовая скорость | ru |
dc.coverage.spatial | дрейфовый ток | ru |
dc.coverage.spatial | дырочный ток | ru |
dc.coverage.spatial | методические издания | ru |
dc.coverage.spatial | примесная электропроводность полупроводников | ru |
dc.coverage.spatial | примесные полупроводники | ru |
dc.coverage.spatial | собственная проводимость | ru |
dc.coverage.spatial | собственные полупроводники | ru |
dc.coverage.spatial | терморезисторы | ru |
dc.date.accessioned | 2022-05-31 09:57:47 | - |
dc.date.available | 2022-05-31 09:57:47 | - |
dc.date.issued | 2009 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\478852 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле : метод. указания к лаб. работе / Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; сост. В. А. Колпаков, А. И. Колпаков. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - 1 файл (2,18 Мб). - Текст : электронный | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-parametrov-termorezistivnogo-effekta-v-tverdom-tele-97685 | - |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Описывается физический механизм возникновения терморезистивного явления в кремнии в диапазоне температур 23-100°С, изложены принципы формировании электрических характеристик терморезистора и схем его включения в электронные схемы. Предназначены для студентов специальности 210.201.00 "Проектирование и технология радиоэлектронных средств". Выполнены на кафедрах "Электронные системы и устройства" и "Техническая кибернетика". | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников СГАУ (электрон. версия). | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.publisher | Изд-во СГАУ | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле : метод. указания к лаб. работе | ru |
dc.title | Исследование параметров терморезистивного эффекта в твердом теле | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33.29 | ru |
dc.subject.udc | 621.382(075) | ru |
dc.textpart | Отсюда можно заключить, что эффективная масса электрона в зоне проводимости различна для различных полупроводниковых материалов, и, следовательно, при про чих равных условиях, подвижности в них также будут различаться. Необхо димо отметить, что соотношение (7) получено без учёта распределения электронов по скоростям, поэтому его нельзя считать достаточно точным для вычисления. Более точное значение дрейфовой подвижности р,, необхо димо рассматривать с учетом статистического хар... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Колпаков В.А. Исследование параметров 2009.pdf | 2.23 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.