Отрывок: Токопрохожденне обуслов лено прохождением носителя заряда внутри каждого кристаллита и между смежными кристаллитами. В первом случае движение носителя происходит в пределах совершенной кристаллической решетки, поэтому сделанные ранее выводы справедливы. Второй случай имеет свои особенности. Оче видно, что возможность продвижения носителя заряда межде смежными кристаллитами с...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Буров В. Н. | ru |
dc.contributor.author | Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР | ru |
dc.contributor.author | Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | диэлектрические потери | ru |
dc.coverage.spatial | материалы электронной техники | ru |
dc.coverage.spatial | методические издания | ru |
dc.coverage.spatial | температурная стабильность | ru |
dc.date.accessioned | 2022-03-24 09:45:39 | - |
dc.date.available | 2022-03-24 09:45:39 | - |
dc.date.issued | 1988 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\475038 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование материалов элементов конструкции непроволочных резисторов : метод. указания к лаб. работам 3, 6, 7. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. В. Н. Буров. - Куйбышев, 1988. - 1 файл (608,91 Кб) | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-materialov-elementov-konstrukcii-neprovolochnyh-rezistorov-96369 | - |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Методические указания «Исследование материалов элементов конструкций непроволочных резисторов» к лабораторным работам 3, 6 и 7 являются частью цикла лабораторных работ по курсу «Материалы электронной техники». Работа 3 предусматривает изучение частотных свойств диэлектрических потерь электроизоляционных материалов, используемых в качестве подложки непроволочных резисторов. Работа 6 посвящена изучению и сравнению широко используемых резисторов по их температурной стабильности, определению свойств проводящих слоев резисторов. В работе 7 исследуется термоЭДС материалов. По каждой лабораторной работе сообщаются краткие теоретические сведения, даются указания к проведению экспериментов и составлению отчета. В приложении приводится программа обработки на ЭВМ «Электроника ДЗ-28» результатов эксперимента. Методические указания предназначены для студентов специальности Q705 дневной и вечерней форм обучения. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование материалов элементов конструкции непроволочных резисторов : метод. указания к лаб. работам 3, 6, 7. - Текст : непосредственный | ru |
dc.title | Исследование материалов элементов конструкции непроволочных резисторов | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.09 | ru |
dc.subject.udc | 621.315.5(076) | ru |
dc.subject.udc | 621.316.8(075) | ru |
dc.textpart | Токопрохожденне обуслов лено прохождением носителя заряда внутри каждого кристаллита и между смежными кристаллитами. В первом случае движение носителя происходит в пределах совершенной кристаллической решетки, поэтому сделанные ранее выводы справедливы. Второй случай имеет свои особенности. Оче видно, что возможность продвижения носителя заряда межде смежными кристаллитами с... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Буров В.Н. Исследование 1988.pdf | 608.91 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.