Отрывок: Изоляцию в данном случае осуществляют путем сочетания боковых диэлектрических слоев и обратносмещенных р -л -п ереходов, что позволяет использовать преиму щ ества первого и второго методов изоляции. Изоляция обратносмешенным p-/i -переходом использует в к ачест ве изолирующих областей р -л -переходы, полученные диффузией, ион ным легированием, включенные навстречу друг другу и смещенные в об ратном направлении. На базе этого метода реализован ряд конкретных техно...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Пиганов М. Н. | ru |
dc.contributor.author | Дмитриев В. Д. | ru |
dc.contributor.author | Леднев М. А. | ru |
dc.contributor.author | Государственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школы | ru |
dc.contributor.author | Самарский авиационный институт им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | p-n переходы | ru |
dc.coverage.spatial | биполярные транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | диффузия | ru |
dc.coverage.spatial | изоляция | ru |
dc.coverage.spatial | интегральные микросхемы | ru |
dc.coverage.spatial | конденсаторы | ru |
dc.coverage.spatial | методические издания | ru |
dc.coverage.spatial | окисление | ru |
dc.coverage.spatial | планарная технология | ru |
dc.coverage.spatial | резистор | ru |
dc.coverage.spatial | фотолитография | ru |
dc.date.accessioned | 2022-03-24 09:40:20 | - |
dc.date.available | 2022-03-24 09:40:20 | - |
dc.date.issued | 1991 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\476804 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост. М. Н. Пиганов, В. Д. Дмитриев, М. А. Леднев. - Самара, 1991. - 1 файл (415,96 Кб) | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-konstrukcii-poluprovodnikovyh-bipolyarnyh-integralnyh-mikroshem-96366 | - |
dc.description.abstract | Дается анализ конструктивно-технологических особенностей полупроводниковых интегральных микросхем, их элементов, методов изоляции и структуры. Предлагается определить метод изоляции элементов изучаемых интегральных микросхем, составить схему электрическую принципиальную и топологический чертеж, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов . | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников САИ (электрон. версия). | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : непосредственный | ru |
dc.title | Исследование конструкций полупроводниковых биполярных интегральных микросхем | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.33 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.049.774(075) | ru |
dc.textpart | Изоляцию в данном случае осуществляют путем сочетания боковых диэлектрических слоев и обратносмещенных р -л -п ереходов, что позволяет использовать преиму щ ества первого и второго методов изоляции. Изоляция обратносмешенным p-/i -переходом использует в к ачест ве изолирующих областей р -л -переходы, полученные диффузией, ион ным легированием, включенные навстречу друг другу и смещенные в об ратном направлении. На базе этого метода реализован ряд конкретных техно... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Пиганов М.Н. Исследование 1991.pdf | 415.96 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.