Отрывок: р и с .2 ,а) к затвору относительно канала приложено положительное напряжение, то канал обогащается электронами, и увеличивается проводимость канала (режим обогащения). Наоборот, при отрицательном напряжении на затворе в канале у границы раздела кремний-оксид наблюдается обеднение элек­ тронами, и проводимость канала уменьшается (режим обеднения). В МДП- транзисторе с p-каналом (р и с .2 ,б ) в зависимости от полярности напря­ жения на затворе наблюдается обогащение ( ^ < 0 ) или обедне...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorДмитриев В. Д.ru
dc.contributor.authorЛеднев М. А.ru
dc.contributor.authorГосударственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школыru
dc.contributor.authorСамарский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialконденсаторыru
dc.coverage.spatialМДП-структурыru
dc.coverage.spatialМДП-транзисторыru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialполупроводниковые интегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialрезисторru
dc.date.accessioned2022-03-23 10:30:50-
dc.date.available2022-03-23 10:30:50-
dc.date.issued1991ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\476805ru
dc.identifier.citationИсследование конструкции полупроводниковых МДП-микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; сост.: М. Н. Пиганов, В. Д. Дмитриев, М. А. Леднев. - Самара, 1991. - 1 файл (264,25 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-konstrukcii-poluprovodnikovyh-MDPmikroshem-96302-
dc.description.abstractДается анализ конструкций полупроводниковых интегральных микросхем на МДП-транзисторах, их элементов, структур(методов изоляции). Предлагается определять разновидности конструкций МДП-транзисторов интегральных микросхем; воспроизвести топологический чертеж и структуру кристалла, схему технологического процесса изготовления МДП интегральных микросхем, рассчитать степень интеграции и определить плотность упаковки элементов.ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников САИ (электрон. версия).ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofИсследование конструкций полупроводниковых МДП-микросхем : метод. указания к лаб. работе. - Текст : непосредственныйru
dc.titleИсследование конструкции полупроводниковых МДП-микросхемru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.03.05ru
dc.subject.udc621.382.049.77.002(075)ru
dc.subject.udc621.382.3(075)ru
dc.textpartр и с .2 ,а) к затвору относительно канала приложено положительное напряжение, то канал обогащается электронами, и увеличивается проводимость канала (режим обогащения). Наоборот, при отрицательном напряжении на затворе в канале у границы раздела кремний-оксид наблюдается обеднение элек­ тронами, и проводимость канала уменьшается (режим обеднения). В МДП- транзисторе с p-каналом (р и с .2 ,б ) в зависимости от полярности напря­ жения на затворе наблюдается обогащение ( ^ < 0 ) или обедне...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Пиганов М.Н. Исследование конструкции 1991.pdf264.25 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.