Отрывок: е . с £ = $ . Тогда Р а ’ т .е . величину р а можно непосредственно измерить. Измерение не представляет никаких трудностей, если выполняется закон Ома. Поверх ностное сопротивление f ia зависит от объемного удельного сопротив ления резистивного слоя и толщины пленки, т .е . Л = £ и измеряется в Ом или Ом/кв. 9 Обратимые изменения величины сопротивления ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Буренин П. В. | ru |
dc.contributor.author | Волков А. В. | ru |
dc.contributor.author | Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР | ru |
dc.contributor.author | Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева | ru |
dc.coverage.spatial | диэлектрические пленки | ru |
dc.coverage.spatial | методические издания | ru |
dc.coverage.spatial | образование пленок | ru |
dc.coverage.spatial | резистивные пленки | ru |
dc.coverage.spatial | рост пленок | ru |
dc.coverage.spatial | тонкопленочные конденсаторы (ТПК) | ru |
dc.coverage.spatial | электронные процессы в тонких пленках | ru |
dc.date.accessioned | 2022-03-25 10:52:01 | - |
dc.date.available | 2022-03-25 10:52:01 | - |
dc.date.issued | 1983 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\478038 | ru |
dc.identifier.citation | Исследование электрофизических свойств пленочных структур : метод. указания к лаб. работе № 3. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. П. В. Буренин, А. В. Волков]. - Куйбышев, 1983. - 1 файл (1,82 Мб) | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-elektrofizicheskih-svoistv-plenochnyh-struktur-96381 | - |
dc.description.abstract | Гриф. | ru |
dc.description.abstract | Изучаются механизмы образования и роста пленок, проводится их классификация. Анализируются также электронные процессы в тонких пленках: механизмы переноса зарядов в структуре металл-диэлектрик-металл; зависимости удельного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления от толщины резистивных пленок; типы поляризации и диэлектрические потери в диэлектрических пленках. Исследуется электрофизические параметры резистивных пленок, ВАХ МДМ структур и диэлектрические потери в тонкопленочных конденсаторах в зависимости от температуры и толщины пленок. Рекомендуется для студентов специальности 0701. | ru |
dc.description.abstract | Используемые программы: Adobe Acrobat. | ru |
dc.description.abstract | Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия). | ru |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.relation.isformatof | Исследование электрофизических свойств пленочных структур : метод. указания к лаб. работе № 3. - Текст : непосредственный | ru |
dc.title | Исследование электрофизических свойств пленочных структур | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.01 | ru |
dc.subject.udc | 621.38(075) | ru |
dc.subject.udc | 621.382 (075) | ru |
dc.textpart | е . с £ = $ . Тогда Р а ’ т .е . величину р а можно непосредственно измерить. Измерение не представляет никаких трудностей, если выполняется закон Ома. Поверх ностное сопротивление f ia зависит от объемного удельного сопротив ления резистивного слоя и толщины пленки, т .е . Л = £ и измеряется в Ом или Ом/кв. 9 Обратимые изменения величины сопротивления ... | - |
Располагается в коллекциях: | Методические издания |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Буренин П.В. Исследование электрофизических свойств 1983.pdf | 1.87 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.