Отрывок: Однако необходимо отметит'ь, что этот критерий можно применять только в том случае, если ги­ потетическое распределение Р ( х ) полностью известно Заранее из каких-либо теоретических предположений, т. е. когда известен не только вид функции г (х ) , но и все входящие в нее параметры. Д ля этого критерия велика вероятность ошибок в т о р о г о рода. Проверка гипотезы по критерию А. Н. Колмогорова произво­ дится в следующей последовательности: 1) строятся эмпирическая F* (х) и т...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКапитонов В. А.ru
dc.contributor.authorГосударственный комитет РСФСР по делам науки и высшей школыru
dc.contributor.authorСамарский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialлабораторные работыru
dc.coverage.spatialбиполярные транзисторыru
dc.coverage.spatialточностьru
dc.coverage.spatialтехнологические процессыru
dc.coverage.spatialстабильностьru
dc.coverage.spatialстатистические методыru
dc.coverage.spatialполупроводниковые приборыru
dc.coverage.spatialпараметры качестваru
dc.coverage.spatialучебные изданияru
dc.date.issued1991ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\443391ru
dc.identifier.citationАнализ и исследование точности технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов : метод. указания к лаб. работе. - Текст : электронный / Гос. ком. РСФСР по делам науки и высш. шк., Самар. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. Капитонов Валерий Алексеевич]. - Самара, 1991. - 1 файл (478 Кб)ru
dc.description.abstractРассмотрены основные характеристики статистической совокупности. Приведены основные расчетные формулы для определения параметров качества технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов. Оценивается точность и стабильность технологического процесса. Предназначены для студентов специальности 23.03. Составлены на кафедре «Микроэлектроника и технология радиоэлектронной аппаратуры».ru
dc.description.abstractИспользуемые программы: Adobe Acrobat.ru
dc.description.abstractТруды сотрудников САИ (электрон. версия).ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 478 КБ)ru
dc.language.isorusru
dc.relation.isformatofАнализ и исследование точности технологического процесса изготовления полупроводниковых приборов : метод. указания к лаб. работе. - Текст : непосредсru
dc.titleАнализ и исследование точности технологического процесса изготовления полупроводниковых приборовru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.13.11ru
dc.subject.udc621.382.002(075)ru
dc.textpartОднако необходимо отметит'ь, что этот критерий можно применять только в том случае, если ги­ потетическое распределение Р ( х ) полностью известно Заранее из каких-либо теоретических предположений, т. е. когда известен не только вид функции г (х ) , но и все входящие в нее параметры. Д ля этого критерия велика вероятность ошибок в т о р о г о рода. Проверка гипотезы по критерию А. Н. Колмогорова произво­ дится в следующей последовательности: 1) строятся эмпирическая F* (х) и т...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Капитонов В.А. Анализ и исследование 1991.pdf478.83 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.