Отрывок: Искусственный интеллект 67 042412 водорода, соответственно. Электроды были нанесены с помощью магнетронного распыления. Верхний электрод Pt был нанесен через теневую маску и имел площадь 0.0360 ± 0.0015 мм2. Исследование потенциации устройств проводилось с использованием параметрического анализатора Kethly- 4200SCS. Импульсы подавались на верхний электрод со встроенной платы генератора импульсов 4205-PG2, при этом нижний электрод прибора был заземлен. Сигнал вышедший с уст...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПермякова О. О.ru
dc.contributor.authorРогожин А. Е.ru
dc.contributor.authorМяконьких А. В.ru
dc.contributor.authorСмирнова Е. А.ru
dc.contributor.authorРуденко К. В.ru
dc.coverage.spatialрезистивные переключенияru
dc.coverage.spatialмемристорыru
dc.coverage.spatialнейроморфные системыru
dc.coverage.spatialпотенциацияru
dc.coverage.spatialоксиды гафнияru
dc.creatorПермякова О. О., Рогожин А. Е., Мяконьких А. В., Смирнова Е. А., Руденко К. В.ru
dc.date.issued2022ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\491239ru
dc.identifier.citationВлияние амплитуды импульса на линейность обновления веса в мемристорах на основе оксида гафния / О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин, А. В. Мяконьких, Е. А. Смирнова, К. В. Руденко // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2022Т. 4: Искусственный интеллект / под ред. А. В. Никонорова. - 2022. - С. 042312.ru
dc.description.abstractЛинейность изменения проводимости мемристора влияет на точность обучения аналоговых нейроморфных систем. Обычно линейности изменения веса добиваются за счет изменения формы сигнала, но это требует включения в аналоговую цепь дополнительной переферии. В работе рассмотрено влияние амплитуды импульса сигнала на потенциацию мемристора на основе оксида гафния. Показано, что при уменьшении модуля амплитуды импульса увеличивается линейность изменения проводимости прибора. Также показано, что существует напряжение при котором проводимость изменяется наилучшим образом.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022) : сб. тр. по материалам VIII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 23 - 27 мая) : в 5 т. -ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2022). - Т. 4 : Искусственный интеллектru
dc.titleВлияние амплитуды импульса на линейность обновления веса в мемристорах на основе оксида гафнияru
dc.typeTextru
dc.citation.spage042312ru
dc.citation.volume4ru
dc.textpartИскусственный интеллект 67 042412 водорода, соответственно. Электроды были нанесены с помощью магнетронного распыления. Верхний электрод Pt был нанесен через теневую маску и имел площадь 0.0360 ± 0.0015 мм2. Исследование потенциации устройств проводилось с использованием параметрического анализатора Kethly- 4200SCS. Импульсы подавались на верхний электрод со встроенной платы генератора импульсов 4205-PG2, при этом нижний электрод прибора был заземлен. Сигнал вышедший с уст...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
ИТНТ-2022. Том 4. Искусственный интеллект/978-5-7883-1792-2_2022-042312.pdf859.82 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.