Отрывок: Вариация коэффициента передачи ПН на стадии хранения в, пер- ую очередь обусловлена тепловым дрейфом транзистора ПН вследст- ие скачка рассеиваемой мощности после заряда Сн [ 5 ] . Величина ■качка составляет л Р-и„ (1фà ڄ,)-(*&%„,,тжеЗс„,,Э е„ г « к » иещения транзистора ПН, соответственно, до и после заряда С„ , 1 ц0 - начальное напряжение u Klf (или и^с ) транзистора. Время феходного теплового процесса в этом случае составляет десятке и отн...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Логвинов А. В. | ru |
dc.coverage.spatial | аналоговые запоминающие устройства (АЗУ) | ru |
dc.coverage.spatial | абсорбция | ru |
dc.coverage.spatial | диэлектрика конденсатора | ru |
dc.coverage.spatial | емкостные АЗУ | ru |
dc.coverage.spatial | источники погрешностей | ru |
dc.coverage.spatial | МОП-транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | утечки | ru |
dc.coverage.spatial | транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | переходные тепловые процессы | ru |
dc.coverage.spatial | погрешность хранения | ru |
dc.coverage.spatial | полупроводниковые приборы | ru |
dc.creator | Логвинов А. В. | ru |
dc.date.accessioned | 2022-01-24 10:04:39 | - |
dc.date.available | 2022-01-24 10:04:39 | - |
dc.date.issued | 1979 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\474300 | ru |
dc.identifier.citation | Логвинов, А. В. Погрешности хранения аналоговых запоминающих устройств. - Текст : электронный / А. В. Логвинов // Автоматизация экспериментальных исследований : межвуз. сб. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; под ред. В. А. Виттиха. - 1979. - Вып. 10. - С. 149-153 | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Avtomatizaciya-eksperimentalnyh-issledovanii/Pogreshnosti-hraneniya-analogovyh-zapominaushih-ustroistv-95399 | - |
dc.description.abstract | Рассмотрены основные факторы, влияющие на точность хранения напряжения на накопительном конденсаторе аналогового запоминающего устройства. Сюда входят: утечки полупроводниковых приборов, эффект абсорбции в диэлектрике конденсатора и в диэлектрике платы, переходные тепловые процессы в транзисторе повторителя напряжения. Приведены кривые, характеризующие величину 4, поведение этих погрешностей в диапазоне времени хранения 10 мкс. - 100 мс. | ru |
dc.relation.ispartof | Автоматизация экспериментальных исследований : межвуз. сб. - Текст : электронный | ru |
dc.source | Автоматизация экспериментальных исследований. - Вып. 10 | ru |
dc.title | Погрешности хранения аналоговых запоминающих устройств | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 153 | ru |
dc.citation.spage | 149 | ru |
dc.textpart | Вариация коэффициента передачи ПН на стадии хранения в, пер- ую очередь обусловлена тепловым дрейфом транзистора ПН вследст- ие скачка рассеиваемой мощности после заряда Сн [ 5 ] . Величина ■качка составляет л Р-и„ (1фà ڄ,)-(*&%„,,тжеЗс„,,Э е„ г « к » иещения транзистора ПН, соответственно, до и после заряда С„ , 1 ц0 - начальное напряжение u Klf (или и^с ) транзистора. Время феходного теплового процесса в этом случае составляет десятке и отн... | - |
Располагается в коллекциях: | Автоматизация экспериментальных исследований |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-149-153.pdf | 173.34 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.