Отрывок: С позиции теории реакции первого порядка скорость образования химических связей в зависимости от числа атомов, вступивших во взаимодействие равна: dt (2) где f - частота колебания атомов; No - количество атомов, вступивших во взаимодействие; W - вероятность образования химической связи. Величина коэффициента трения покоя, рассчитанная по полученному выражению, для случая атомарно-чистых поверхностей отличается от экспериментального зна...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКричевский С. В.ru
dc.contributor.authorИвлиев Н. А.ru
dc.coverage.spatialатомарные загрязненияru
dc.coverage.spatialдиэлектрические подложкиru
dc.coverage.spatialкалибровка измерений чистотыru
dc.coverage.spatialконтроль чистотыru
dc.coverage.spatialкоэффициент тренияru
dc.coverage.spatialметоды трибометрииru
dc.coverage.spatialоценка степени чистотыru
dc.coverage.spatialтрибометрическое устройствоru
dc.creatorКричевский С. В., Ивлиев Н. А.ru
dc.date.accessioned2024-09-03 10:54:05-
dc.date.available2024-09-03 10:54:05-
dc.date.issued2009ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\559388ru
dc.identifier.citationКричевский, С. В. Трибометрический метод оценки степени чистоты поверхности диэлектрических подложек / С. В. Кричевский, Н. А. Ивлиев // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - [Ч. 1]. - С. 185-187.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Tribometricheskii-metod-ocenki-stepeni-chistoty-poverhnosti-dielektricheskih-podlozhek-110699-
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. - Текст : электронныйru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций. - [Ч. 1]ru
dc.titleТрибометрический метод оценки степени чистоты поверхности диэлектрических подложекru
dc.typeTextru
dc.citation.epage187ru
dc.citation.spage185ru
dc.textpartС позиции теории реакции первого порядка скорость образования химических связей в зависимости от числа атомов, вступивших во взаимодействие равна: dt (2) где f - частота колебания атомов; No - количество атомов, вступивших во взаимодействие; W - вероятность образования химической связи. Величина коэффициента трения покоя, рассчитанная по полученному выражению, для случая атомарно-чистых поверхностей отличается от экспериментального зна...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-0672-8_2009-185-187.pdf146.1 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.