Отрывок: Набольшего качества позволяет добиться МЛЭ, но это дорогостоящий технологический процесс, что связано с созданием и поддержанием высокого вакуума в камере, где происходит напыление. Удешевить технологию позволяет применейш совместно с эпитаксией элементов искусственной эпитаксии. Наиболее дешёвым и простым в осуществлении является создание топо!рафическо1 о рельефа, но этот метод груб и не дает однозначного результат Потенциальный рельеф максимал...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorОсипов А. Н.ru
dc.coverage.spatialквазимонокристаллические тонкопленочные системыru
dc.coverage.spatialискусственная эпитаксияru
dc.coverage.spatialинтегральные микросхемыru
dc.coverage.spatialметод искусственной эпитаксииru
dc.coverage.spatialэпитаксиальные процессыru
dc.coverage.spatialструктура пленокru
dc.coverage.spatialформирование тонкопленочных системru
dc.creatorОсипов А. Н.ru
dc.date.accessioned2022-10-17 14:27:16-
dc.date.available2022-10-17 14:27:16-
dc.date.issued2005ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\487989ru
dc.identifier.citationОсипов, А. Н. Процесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксии / А. Н. Осипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 160-172.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Process-formirovaniya-kvazimonokristallicheskih-tonkoplenochnyh-sistem-metodom-iskusstvennoi-epitaksii-99452-
dc.language.isorusru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. - Текст : электронныйru
dc.titleПроцесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксииru
dc.typeTextru
dc.citation.epage172ru
dc.citation.spage160ru
dc.textpartНабольшего качества позволяет добиться МЛЭ, но это дорогостоящий технологический процесс, что связано с созданием и поддержанием высокого вакуума в камере, где происходит напыление. Удешевить технологию позволяет применейш совместно с эпитаксией элементов искусственной эпитаксии. Наиболее дешёвым и простым в осуществлении является создание топо!рафическо1 о рельефа, но этот метод груб и не дает однозначного результат Потенциальный рельеф максимал...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-160-172.pdf884.36 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.