Отрывок: Измеряя т(Т) можно определить энергию ионизации уровня £ сечение ионизации а п . Используя различные способы заполнения уровня получаем метод исследования ГЦ: 1 .Изотермическая релаксация емкости (ИРЕ). Пусть еп » ер и имеем р + —п - переход, а ГЦ - одноразрядный Можно получить, что при переключении 0 —> V и выполнении услови V » V, и « Жк о.г. о.м. С с Значение т можно определить по экспериментальной зависимост С с - С ( / ) . 2. Изотермическая ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorБоднарчук Г. А.ru
dc.coverage.spatialемкостная спектроскопияru
dc.coverage.spatialемкостные методы измеренияru
dc.coverage.spatialдефекты кристаллической решеткиru
dc.coverage.spatialизотермическая релаксация емкостиru
dc.coverage.spatialизотермическая релаксация токаru
dc.coverage.spatialпараметры дефектовru
dc.coverage.spatialполупроводниковые материалыru
dc.coverage.spatialметод постоянной емкостиru
dc.coverage.spatialтермостимулированная релаксация емкостиru
dc.coverage.spatialфотоемкостьru
dc.creatorБоднарчук Г. А.ru
dc.date.accessioned2024-09-03 09:50:42-
dc.date.available2024-09-03 09:50:42-
dc.date.issued2009ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\559235ru
dc.identifier.citationБоднарчук, Г. А. Емкостные методы исследования дефектов полупроводников / Г. А. Боднарчук // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Федер. агентство по образованию, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. М. Н. Пиганова. - Самара : Изд-во СГАУ, 2009. - [Ч. 1]. - С. 22-26.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Emkostnye-metody-issledovaniya-defektov-poluprovodnikov-110685-
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф. 12-14 мая 2009 г. - Текст : электронныйru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций. - [Ч. 1]ru
dc.titleЕмкостные методы исследования дефектов полупроводниковru
dc.typeTextru
dc.citation.epage26ru
dc.citation.spage22ru
dc.textpartИзмеряя т(Т) можно определить энергию ионизации уровня £ сечение ионизации а п . Используя различные способы заполнения уровня получаем метод исследования ГЦ: 1 .Изотермическая релаксация емкости (ИРЕ). Пусть еп » ер и имеем р + —п - переход, а ГЦ - одноразрядный Можно получить, что при переключении 0 —> V и выполнении услови V » V, и « Жк о.г. о.м. С с Значение т можно определить по экспериментальной зависимост С с - С ( / ) . 2. Изотермическая ...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-0672-8_2009-22-26.pdf613.37 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.